Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: http://thuvienso.vanlanguni.edu.vn/handle/Vanlang_TV/31889
Nhan đề: Nanowire Field-Effect Transistor (FET)
Tác giả: García-Loureiro, Antonio
Kalna, Karol
Seoane, Natalia
Từ khoá: Nanowire Field Effect Transistor
Nanostructure Devices
Năm xuất bản: 2021
Nhà xuất bản: MDPI
Tóm tắt: This book is a printed edition of the Special Issue Nanowire Field-Effect Transistor (FET) that was published in Materials.
Mô tả: 96 p. : ill. ; 17.8 Mb https://doi.org/10.3390/books978-3-03936-209-7 CC BY-NC-ND
Định danh: http://thuvienso.vanlanguni.edu.vn/handle/Vanlang_TV/31889
ISBN: 978-3-03936-209-7
Bộ sưu tập: Kỹ thuật_TLNM_SACH

Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin Mô tả Kích thước Định dạng  
SA9876_1_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Cover.pdf
  Giới hạn truy cập
Cover665.56 kBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_2_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Front matter.pdf
  Giới hạn truy cập
Front matter532.92 kBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_3_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Contents.pdf
  Giới hạn truy cập
Contents515.18 kBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_4_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_About the Editors.pdf
  Giới hạn truy cập
About the Editors500.34 kBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_5_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 1.pdf
  Giới hạn truy cập
Special Issue: Nanowire Field-Effect Transistor (FET)552.22 kBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_6_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 2.pdf
  Giới hạn truy cập
Effects of Applied Voltages on the Charge Transport Properties in a ZnO Nanowire Field Effect Transistor3.45 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_7_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 3.pdf
  Giới hạn truy cập
A Multi-Method Simulation Toolbox to Study Performance and Variability of Nanowire FETs3.09 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_8_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 4.pdf
  Giới hạn truy cập
Characteristic Fluctuations of Dynamic Power Delay Induced by Random Nanosized Titanium Nitride Grains and the Aspect Ratio Effect of Gate-All-Around Nanowire CMOS Devices and Circuits5.17 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_9_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 5.pdf
  Giới hạn truy cập
Simulation of the Impact of Ionized Impurity Scattering on the Total Mobility in Si Nanowire Transistors3.61 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_10_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 6.pdf
  Giới hạn truy cập
InGaAs FinFETs Directly Integrated on Silicon by Selective Growth in Oxide Cavities2.23 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_11_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 7.pdf
  Giới hạn truy cập
Physics of Discrete Impurities under the Framework of Device Simulations for Nanostructure Devices2.09 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_12_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 8.pdf
  Giới hạn truy cập
Quantum Treatment of Inelastic Interactions for the Modeling of Nanowire Field-Effect Transistors1.15 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu


Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.