Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvienso.vanlanguni.edu.vn/handle/Vanlang_TV/31889
Nhan đề: | Nanowire Field-Effect Transistor (FET) |
Tác giả: | García-Loureiro, Antonio Kalna, Karol Seoane, Natalia |
Từ khoá: | Nanowire Field Effect Transistor Nanostructure Devices |
Năm xuất bản: | 2021 |
Nhà xuất bản: | MDPI |
Tóm tắt: | This book is a printed edition of the Special Issue Nanowire Field-Effect Transistor (FET) that was published in Materials. |
Mô tả: | 96 p. : ill. ; 17.8 Mb https://doi.org/10.3390/books978-3-03936-209-7 CC BY-NC-ND |
Định danh: | http://thuvienso.vanlanguni.edu.vn/handle/Vanlang_TV/31889 |
ISBN: | 978-3-03936-209-7 |
Bộ sưu tập: | Kỹ thuật_TLNM_SACH |
Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | |
---|---|---|---|---|
SA9876_1_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Cover.pdf Giới hạn truy cập | Cover | 665.56 kB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
SA9876_2_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Front matter.pdf Giới hạn truy cập | Front matter | 532.92 kB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
SA9876_3_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Contents.pdf Giới hạn truy cập | Contents | 515.18 kB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
SA9876_4_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_About the Editors.pdf Giới hạn truy cập | About the Editors | 500.34 kB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
SA9876_5_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 1.pdf Giới hạn truy cập | Special Issue: Nanowire Field-Effect Transistor (FET) | 552.22 kB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
SA9876_6_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 2.pdf Giới hạn truy cập | Effects of Applied Voltages on the Charge Transport Properties in a ZnO Nanowire Field Effect Transistor | 3.45 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
SA9876_7_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 3.pdf Giới hạn truy cập | A Multi-Method Simulation Toolbox to Study Performance and Variability of Nanowire FETs | 3.09 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
SA9876_8_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 4.pdf Giới hạn truy cập | Characteristic Fluctuations of Dynamic Power Delay Induced by Random Nanosized Titanium Nitride Grains and the Aspect Ratio Effect of Gate-All-Around Nanowire CMOS Devices and Circuits | 5.17 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
SA9876_9_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 5.pdf Giới hạn truy cập | Simulation of the Impact of Ionized Impurity Scattering on the Total Mobility in Si Nanowire Transistors | 3.61 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
SA9876_10_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 6.pdf Giới hạn truy cập | InGaAs FinFETs Directly Integrated on Silicon by Selective Growth in Oxide Cavities | 2.23 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
SA9876_11_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 7.pdf Giới hạn truy cập | Physics of Discrete Impurities under the Framework of Device Simulations for Nanostructure Devices | 2.09 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
SA9876_12_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 8.pdf Giới hạn truy cập | Quantum Treatment of Inelastic Interactions for the Modeling of Nanowire Field-Effect Transistors | 1.15 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.